QS8K2TR详细
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
QS8K2TR参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 3.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):285pF @ 10V,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:TSMT8
